一、机器特点：
①采用双气缸上下控制；下工位行程可调
②恒温设计，膜片周边扩张均匀适度；
③加热、拉伸、扩晶、固膜一次完成；
④加热温度、扩张时间、回程速度均匀可调；
⑤操作简便，单班产量大
整机采用***零部件，所用加工部件都使用**度铝合金及304不锈钢制造，确保设备的耐久性；温度控制器件采用原装宇电数显PID人工智能温控仪。
二、技术参数：
1．电压：220VAC/50Hz, 功率：600W（10寸）,300W（8寸）,150W（4寸，6寸）
2．工作气压：5Kg/cm2 温度范围：室温~80℃（建议55-60℃）
3．上气缸行程：300mm（10寸）250mm（8寸），200mm（4寸，6寸）
下气缸行程：75mm（可双向调节）
4．外型尺寸：10英寸 400x350x1250mm(长x宽x高） 机器重量：38Kg
8英寸 350x300x1180mm(长x宽x高） 机器重量：30Kg
4英寸,6英寸270x220x920mm(长x宽x高） 机器重量：20Kg
四、操作步骤：
1．将气压表拧入设备左侧过滤器螺孔中。插上电源，气管接头插入气源；
2．打开电源开关和温控开关，将温度设定于55℃（不同晶片膜温差异士5℃）；
设置给定值：在基本显示状态下可以通过按∧，∨，＜键来修改下显示窗口显示的设定温度控制值。按∨键减小数据，按∧键增加数据，可修改数值位的小数点同时闪动（如同光标）。长按并保持不放可以快速地增加/减少数值，并且速度会随小数点右移自动加快（2级速度）。而按＜键则可直接移动修改数据的位置（光标），按∧或∨键可修改闪动位置的数值，操作快捷。
3．通气后上压盘自动回到**上方，按下气缸下按钮，下压盘回至**下方（反复几次下气缸动作，将上升速度调整至适合速度）
4．松开锁扣，掀起上工件板，先将扩晶环内环放于下压模上，再将粘有晶片的翻晶膜放于下工件正**，晶片朝上，将上工件板盖上，锁紧锁扣。
5．按下气缸上按钮，下压盘徐徐上升，薄膜开始向四周扩散，晶粒间隔逐渐拉大，当晶片间隔扩散至原来的2~3倍时既停止上升，将扩晶环外环圆角朝下平放在薄膜与内环正上方。
6．按上气缸按钮（始终按压）上压盘下降，将扩晶环压合后，松开按钮上压盘自动回至**上方。
7．按下气缸下按钮，下压盘下降至**下方，取出扩晶完毕的翻晶膜，修剪多余膜面，送下工序备胶固晶。
8．调节行程螺母在设备后面**下部开孔处，调节好后请紧固锁紧螺母。
9．上气缸速度调节阀在气缸上下部。下气缸速度调节阀在设备后部小方孔处。
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